728x90 반응형 SMALL HBM31 삼성 전자, SK Hynix - 전략 !!! 삼성전자는 HBM3E 칩의 10나노 공정부터 4나노 공정까지 6세대 고대역폭 메모리 칩(HBM4)에서 SK하이닉스와 TSMC를 제치고 지배적 지위를 되찾기 위해 노력하고 있다. 한국경제신문은 소식통을 인용해 삼성전자가 4나노 공정을 통해 업계 예상치인 7~8나노 공정을 뛰어넘는 HBM4 칩 로직 베어 다이를 생산할 것이라고 전했다. 4nm 공정의 비용은 7~8nm 공정보다 훨씬 높지만 성능과 전력 소비 측면에서 큰 장점이 있습니다. 삼성전자의 4나노 공정은 수율이 70%를 넘으며, 삼성전자 갤럭시S24 플래그십폰의 엑시노스 2400 프로세서에 적용됐다. AI 열풍으로 인해 NVIDIA로 대표되는 GPU 리더의 HBM에 대한 수요가 증가하고 있습니다. HBM은 여러 DRAM 입자와 로직 다이의 수직 스택.. 2024. 7. 17. 이전 1 다음 728x90 반응형 LIST
