728x90 반응형 SMALL HBM3 삼성 전자, SK Hynix - 전략 !!! 삼성전자는 HBM3E 칩의 10나노 공정부터 4나노 공정까지 6세대 고대역폭 메모리 칩(HBM4)에서 SK하이닉스와 TSMC를 제치고 지배적 지위를 되찾기 위해 노력하고 있다. 한국경제신문은 소식통을 인용해 삼성전자가 4나노 공정을 통해 업계 예상치인 7~8나노 공정을 뛰어넘는 HBM4 칩 로직 베어 다이를 생산할 것이라고 전했다. 4nm 공정의 비용은 7~8nm 공정보다 훨씬 높지만 성능과 전력 소비 측면에서 큰 장점이 있습니다. 삼성전자의 4나노 공정은 수율이 70%를 넘으며, 삼성전자 갤럭시S24 플래그십폰의 엑시노스 2400 프로세서에 적용됐다. AI 열풍으로 인해 NVIDIA로 대표되는 GPU 리더의 HBM에 대한 수요가 증가하고 있습니다. HBM은 여러 DRAM 입자와 로직 다이의 수직 스택.. 2024. 7. 17. HBM 새로운 경쟁 개시 !!! 반도체 메모리 분야에서 HBM 시장 경쟁에 참여하는 메모리 업체는 주로 SK하이닉스, 삼성, 마이크론 등이며, 이들 3개 업체의 경쟁은 HBM3e까지 이어지고 있다. 최근 업계 표준 제정 기관인 JEDEC가 HBM4가 곧 완성될 것이라고 발표했다는 소식이 업계의 주목을 받았는데, 이는 HBM 분야의 새로운 전장이 열렸음을 나타내는 것 같습니다. ◀적층 채널 수는 HBM3의 두 배입니다.▶ JEDEC는 지난 7월 10일 많은 기대를 모으고 있는 고대역폭 메모리(HBM) DRAM 표준의 다음 버전인 HBM4 표준이 곧 확정될 것이라고 밝혔다. 이미지 출처: JEDEC 공식 웹사이트 스크린샷 HBM4는 현재 출시된 HBM3 표준의 진화된 것으로, 더 높은 대역폭, 더 낮은 전력 소비, 향상된 다이/스택 성능과.. 2024. 7. 17. 한국 - SK Hynix - 청주 - 5조 3000억 투자 - 투자금 : 5조 3000억- 공장 : 청주 - DRAM 반도체 생산 기지- 제품 : 고대역폭 메모리(HBM) 칩 - Main- 시기 : 4월말 Start - 25년 11월 양산 예정 한국의 메모리 칩 대기업 SK 하이닉스는 새로운 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM)를 구축하기 위해 한국에 5조 3천억 원(약 278억 7,800만 위안)을 투자할 계획이라고 발표했습니다.칩 생산기지는 오는 4월 말 착공해 2025년 11월 양산을 목표로 하고 있다. SK하이닉스는 성명을 통해 신규 생산기지에 대한 장기 투자 총액이 20조원(약 1052억 위안)을 넘을 것으로 예상되며, 이는 점진적 투자 확대 계획을 포함하며, SK하이닉스는 기존 청주 생산기지 인근에 신규 공장을 건설해 수준을 높일 계획이라고 밝혔다고대역.. 2024. 4. 26. 이전 1 다음 728x90 반응형 LIST
