TEL - 2025년 3월기 4분기 결산설명회 Q&A

2025년 3월기 4분기 결산설명회 Q&A

Q1: WFE*1 시장에 대해 중국 이외의 세계시장의 애플리케이션별 전망과 중국시장의 전망을 함께 알려주기 바란다. 또, 미국의 관세 조치의 발표에 따라, 고객의 투자 스탠스에 변화는 보이는가?

A1 : CY2024는 중국 이외의 세계 시장이 전체의 55%로, 그 내역은 DRAM 17%, NAND 5%, 첨단 로직 20%, 기타 13%였다. 중국에 대해서는 전체의 45% 정도로, 그 중 70%가 논리였다고 보고 있다.

CY2025는 DRAM 20%, NAND 10%, 첨단 로직 20%, 기타 15%, 중국에 대해서는 전체의 35% 정도로, 그 중 80%가 로직이라고 전망하고 있다. 중국 WFE 시장의 비율은 전체적으로 10포인트 정도, 작년보다 작아질 것으로 보고 있다.

CY2026은 세부적으로 자제하지만 D램은 첨단 고객들의 투자가 늘면서 CY2025보다 성장하고, 낸드는 CY2025와 동등한 투자 수준으로 예상하고 있다. 선두주자는 최첨단 로직으로 보고 있다. 덧붙여 현시점에서는 중국 시장이 크게 회복한다고 상정하고 있지 않고, CY2026의 중국 시장은 CY2025와 거의 같은 수준.

관세 조치 발표 이후 고객의 투자 스탠스에 대해서도 전체적인 시각은 변함이 없다.

Q2: 올해도 중국에 있어서의 반도체 메이커의 투자가 일정 정도 기대되는 한편, 향후 일단과 중국에의 수출 규제가 강해질 가능성도 있다고 생각된다. 발밑의 중국 WFE 시장의 변화와 앞으로의 규제의 영향을 어떻게 보고 있다
?

A2: 중국에 대한 수출 규제가 완화될 것으로 보지 않는다. 종전부터 파악하고 있는 내용은 포함시켜 예상을 세우고 있으며, 특히 가장 최근에 변화는 없는 것으로 파악하고 있다.

Q3: 중국에 있어서의 미국 및 중국 지역의 장치 메이커와의 경합 상황에 대해 가르쳐 주었으면 한다.

A3: 미국 장치 제조업체와의 경쟁 관계는 변하지 않는다. 당사는 규제에 편승한 백필은 하지 않고, 공정한 경쟁에 힘쓰고 있다.
중국 지역 장치 메이커는, 국책의 혜택도 있어, 중국 국내에서 크게 점유율을 늘리고 있다. 작금의 규제 상황에 비추어 보면, 중국 장치 메이커도 매상을 늘려 갈 것으로 예상하고 있다.
이러한 환경 속에서도, 반도체의 기술 혁신은 진행되어 가기 때문에, 당사의 가치를 제공하는 기회는 세계 전체에서 증가해 간다. 중국에 한정하지 않고, 글로벌에서 당사의 점유율을 늘릴 계획.

Q4 : FY2026의 실적 예상과 관련하여 전반기 대비 매출액과 이익률이 전반기로 내려가고, 후반기에 상승하는 이유를 설명해 주기 바란다.

A4 : FY2026 상반기는 고객의 투자에 한풀 꺾인 느낌을 주며 매출액은 FY2025 하반기에 비해 떨어지는 추세이다. 높은 수준의 연구개발비나 인건비 상승 등도 있어 이익률도 약간 낮다.
하반기에 대해서는, 견조한 AI 서버에 가세해 내년, PC·스마트폰 관련의 투자가 기대되고 있어 매상고·이익률 모두 상승할 전망.

 

Q5: FY2026의 상·하반기 수요가 어느 정도 보이고 있는지 알려주기 바란다. 또, 상반기로의 앞당길 가능성에 대해서도 묻고 싶다.

A5: FY2026 상반기에 대해서는 대부분의 안건을 이미 수주한 상황이기 때문에 상당히 단단한 숫자라고 생각하고 있다.
하반기에 대해서도 강한 논의가 있다. 하반기에서 상반기로의 앞당기는 것에 대해서는 고객의 예산 상황에 따라 요청이 올 가능성은 있지만, 가장 확실하다고 생각하는 실적 예상을 발표했다.

Q6: FY2025 하반기 낸드 매출이 전반기 대비 증가한 요인 및 FY2026 매출이 전기 대비 증가하는 요인을 알려주기 바란다.

A6: FY2025에서는 NAND 시장이 완만하게 회복되고 있는 가운데 당사의 점유율도 상승했다. CY2025에 있어서는 NAND 전용 투자가 성장하고 있어 FY2026의 매상증가에 공헌할 전망. 덧붙여 현재의 투자는 그린 필드 투자(캐퍼시티 증강 투자)가 아니라, 브라운 필드 투자(기술 이행 투자)이며, 이러한 거래가 매우 커지고 있다.

 

Q7: FY2026 SPE 신규 장치 매출 예상에서 D램용 매출이 FY2025 대비 20% 미만 줄어든다. 그 요인은?

A7: FY2026의 D램용 매상은 전년대비 감소하지만, CY베이스에서는 WFE시장을 조금 웃도는 성장을 기대할 수 있다. 덧붙여 중국에 있어서의 D램 전용 투자는 떨어지지만, 중국 이외는 성장할 상정. 중국을 제외하면 10% 이상의 증수를 기대할 수 있다.

Q8: 관세조치에 관한 실적에 미치는 영향에 대해 상정을 가르쳐 주었으면 한다.

A8: 현시점에서 당사에 영향이 있을 것으로 보이는 북미에서의 매출 전망은 FY2026 매출 전체의 8% 정도이며, 한정적이라고 생각하고 있다. 향후의 동향을 주시하는 것과 동시에, 결정 사항이 있으면, 거기에 맞추어 베스트한 해를, 고객과의 협의에 근거해 찾아 가고 싶다. 설령 관세가 붙더라도 이를 능가하는 생산성 혜택을 낼 수 있는 신제품 창출을 서두른다. 우리의 사명은, 반도체의 기술 혁신과 반도체 제조에 있어서의 높은 생산성에의 공헌. 이것이야말로, 반도체 제조 장치 메이커의 존재 의의이며, 우리의 비즈니스의 1가 1번지로서 파악해 적절히 대응해 가고 싶다.

 

Q9: FY2026의 연구개발비·설비투자 예산이 대폭 증가하고 있는 것 같은데, 중기적인 전망으로서 어떤 수준이 되는가? 특히 설비 투자의 규모에 대해서는 현저하게 증가해 갈 것인가?

A9 : FY2025부터 5년간 1.5조엔 이상의 연구개발 투자, 7,000억엔 이상의 설비 투자라는 계획을 발표하고 있지만, 향후의 시장과 당사의 성장 포텐셜을 생각하면, 그 계획을 늦출 생각은 일절 없다.
FY2026의 설비 투자에 대해서는, 미야기·구마모토의 개발동이 금년 준공을 맞이하기 때문에, 임팩트로서는 크고, 1,000억엔 규모의 투자가 되는 미야기의 생산 신동도 FY2026 이후, 투자의 증가로 이어진다.
향후도 일정한 규모의 투자는 계속 될 것으로 예상되어 거시경제의 동향이나 반도체의 시황을 보면서 판단해 가고 싶다.

Q10: 대규모 연구개발 투자·설비 투자를 실시해 나간다는 방침으로 최근 1-2년 사이에 바뀌고 있다. 이러한 투자의 회수 시기나 중기 경영계획에서 목표로 내걸고 있는 영업이익률의 달성 시기에 대해서는 어떻게 생각하고 있는가?

A10: 무턱대고 성장 투자를 실시하고 있는 것은 아니다. 대매출액 고정비 비율의 리뷰를 분기별로 실시하는 등, 이익률 향상을 위한 대처를 행하면서 진행하고 있다.
FY2026의 하반기에는 매출액 1조4,500억엔, 영업이익률 30% 이상을 계획하고 있다. 예를 들어 이 계획을 2분기 연속 달성하면 매출액은 중기 경영계획 목표치에 근접한다.
영업이익률 35% 이상은 야심찬 목표지만 AI 서버용과 PC·스마트폰용 고부가가치 제품 비중이 앞으로 더 올라와서 매출총이익률 제고에 기여할 것으로 기대하고 있다.
FY2027FY2028을 향해 순조롭게 성장 궤도에 오르고 있다는 평가다.

 

Q11 : FY2025 본더/디본더 매출이 300억엔에 달했는데, FY2026과 FY2027의 전망은? 

A11: FY2025의 본더의 매출은 FY2023 대비 약 3배가 되었다. HBM*2용 템포러리 본더/디본더 뿐만 아니라 로직의 Backside PDN*3나 3D NAND용 본더의 평가를 진행하고 있어 향후에도 큰 성장을 기대할 수 있다.

Q12 : CY2024의 절연막 식각 점유율은 60%에 달해 크게 증가하였는데, CY2026의 점유율은 어느 정도로 보고 있는가? 

A12 : 에칭은 매우 흥미로운 상황. 첨단 분야에서 성장 기회가 매우 크다. 특히 DRAM의 커패시터 에칭은 압도적인 포지션에 있다. 그 외, NAND의 극저온 에칭과 슬릿 공정, 어드밴스드 패키징의 배선 공정에 있어서 에칭 비즈니스는 앞으로 수년간 더욱 성장해 나갈 것이다. 
극저온 에칭을 채용하는 400층 레벨의 3D NAND의 본격 양산은 CY2026부터 시작해, 매상에 공헌한다. 고객 1사에서 양산 POR*4, 나머지 2사는 평가가 진행되고 있다. 당사는 극저온 에칭 기술에 더해 RF의 정현파를 구형파로 보정해 이온 입사각의 수직성을 높이는 등 경쟁에는 없는 기술을 도입해 차별화를 꾀하고 있다. 

*1 - WFE (Wafer Fab Equipment) : 반도체 전공정 제조장치. 반도체 제조공정에는 웨이퍼 상태에서 회로형성·검사를 하는 전공정과 그 웨이퍼를 칩마다 절단하고 조립·검사를 하는 후공정이 있다. 반도체 전공정 제조장치는 이 전공정에서 사용되는 제조장치. 또 반도체 전공정 제조장치는 웨이퍼 레벨 패키징용 장치를 포함한다 

*2 - HBM(High Bandwidth Memory) : 고대역폭 메모리 

*3 - Backside PDN (Power Delivery Network) : 전원공급배선을 웨이퍼 뒷면에 배치하는 구조 

*4 - POR (Process of Record) : 고객의 반도체 제조 프로세스 장비 채택 인정

 

 

2025 年3月期 第4四半期 決算説明会Q&A

Q1: WFE*1市場について、中国以外の世界市場のアプリケーション別の見通しと、中国市場の見通しを併せて教えてほしい。また、米国の関税措置の発表を受けて、顧客の投資スタンスに変化はみられるか？ 

A1 : CY2024 は、中国以外の世界市場が全体の55%で、その内訳はDRAM 17%、NAND 5%、先端ロジック 20%、その他 13%であった。中国については全体の45%程度で、そのうちの7割がロジックであったとみている。 

CY2025 は、DRAM 20%、NAND 10%、先端ロジック20%、その他 15%、中国については全体の35%程度で、そのうちの8割がロジックという見通しである。中国WFE市場の比率は全体として、10ポイント程度、昨年より小さくなるとみている。 

CY2026 は、詳細は控えるが、DRAMは先端の顧客の投資が増えCY2025より成長し、ＮANDはCY2025 と同等の投資水準と予想している。一番のけん引役は最先端ロジックとみている。なお、現時点では中国市場が大きく回復すると想定しておらず、CY2026の中国市場はCY2025とほぼ同水準。 

関税措置発表後の顧客の投資スタンスについても、全体的な見方は変わっていない。

Q2 : 今年も中国における半導体メーカーの投資が一定程度期待される一方で、今後一段と中国への輸出規制が強まる可能性もあると思われる。足元の中国WFE市場の変化やこの先の規制の影響をどうみている
か？ 

A2 : 中国への輸出規制について、緩和されるとは見ていない。従前から把握している内容は織り込んで予想を立てており、特に直近で変化はないと捉えている。
 
Q3 : 中国における、米国および中国地場の装置メーカーとの競合状況について、教えてほしい。
 
A3 : 米国装置メーカーとの競争関係は変わらない。当社は規制に乗じたバックフィルはせず、フェアな競争に努めている。 
中国地場装置メーカーは、国策の恩恵もあり、中国国内で大きくシェアを伸ばしている。昨今の規制の状況に鑑みると、中国装置メーカーも売上を伸ばしていくと予想している。 
このような環境のなかでも、半導体の技術革新は進んでいくため、当社の価値を提供する機会は世界全体で増えていく。中国に限らず、グローバルで当社のシェアを伸ばす計画。 

Q4 : FY2026 の業績予想に関して、前半期比で売上高と利益率が上期に下がり、下期に上昇する理由を説明してほしい。 

A4 : FY2026 上期は、顧客の投資に一服感があり、売上高はFY2025下期に比べると下がる傾向にある。高い水準の研究開発費や人件費の上昇などもあり利益率も若干低い。 
下期については、堅調なAIサーバーに加えて、来年、PC・スマホ関連の投資が期待されており、売上高・利益率とも上昇する見通し。

 

Q5 : FY2026 の上期・下期の需要がどの程度見えているのか教えてほしい。また、上期への前倒しの可能性についても伺いたい。
 
A5 : FY2026 上期については、ほとんどの案件を既に受注している状況のため、かなり固い数字だと考えている。
下期についても強い引き合いがある。下期から上期への前倒しについては、顧客の予算の状況次第で要請がくる可能性はあるが、最も確からしいと考える業績予想を発表した。

Q6 : FY2025 下期のNAND向け売上が前半期比で増加した要因、ならびにFY2026売上が前期比で増加する要因を教えてほしい。 

A6 : FY2025 においては、NAND市場が緩やかに回復している中、当社のシェアも上昇した。CY2025においてはNAND向け投資が成長しており、FY2026の売上増に貢献する見込み。なお、現在の投資はグリーンフィールド投資（キャパシティ増強投資）ではなく、ブラウンフィールド投資（技術移行投資）であり、この引き合いが非常に大きくなってきている。

 

Q7 : FY2026 SPE 新規装置売上予想において、DRAM向け売上がFY2025比2割弱減る。その要因は？ 

A7 : FY2026 のDRAM向け売上は前年比減少するが、CYベースではWFE市場を少し上回る成長を期待できる。なお、中国におけるDRAM向け投資は下がるが、中国以外は伸びる想定。中国を除くと10%以上の増収が期待できる。  

Q8 : 関税措置に関する業績への影響について想定を教えてほしい。
 
A8 : 現時点で、当社に影響があるとみられる北米での売上見通しはFY2026売上全体の8%程度であり、限定的と考えている。今後の動向を注視するとともに、決定事項があれば、それに合わせてベストな解を、顧客との協議に基づいて探っていきたい。たとえ、関税がかかったとしても、それを凌ぐような生産性メリットを出せる新製品の創出を急ぐ。我々の使命は、半導体の技術革新と半導体製造における高い生産性への貢献。これこそが、半導体製造装置メーカーの存在意義であり、我々のビジネスの一丁目一番地として捉え、適切に対応していきたい。

 

Q9 : FY2026 の研究開発費・設備投資の予算が大幅に増えているようだが、中期的な見通しとして、どのような水準になるか？特に設備投資の規模については著しく増加していくのか？ 

A9 : FY2025 から 5年間で1.5兆円以上の研究開発投資、7,000億円以上の設備投資という計画を発表しているが、今後の市場と当社の成長ポテンシャルを考えると、その計画を緩めるつもりは一切ない。 
FY2026 の設備投資については、宮城・熊本の開発棟が今年竣工を迎えるため、インパクトとしては大きく、1,000 億円規模の投資となる宮城の生産新棟もFY2026以降、投資の増加につながる。 
今後も一定の規模の投資は続くと予想され、マクロ経済の動向や半導体の市況を見ながら判断していきたい。 

Q10 : 大規模な研究開発投資・設備投資をおこなっていくという方針にここ1-2年で変わってきている。こうした投資の回収時期や中期経営計画で目標として掲げている営業利益率の達成時期についてはどう考えているか？ 

A10 : やみくもに成長投資を実施しているわけではない。対売上高固定費比率のレビューを四半期ごとに実施するなど、利益率向上に向けた取り組みをおこないながら進めている。 
FY2026 の下期は、売上高1兆4,500億円、営業利益率30%以上を計画している。例えば、この計画を2半期連続で達成すると、売上高は中期経営計画の目標値に近づく。 
営業利益率35%以上は、野心的な目標だが、AIサーバー向けやPC・スマホ向けの高付加価値製品の比率がこれからさらに上がってきて、売上総利益率の向上に貢献すると期待している。 
FY2027・FY2028 に向けて順調に成長軌道に乗っているという評価をしている。

 

Q11 : FY2025のボンダー/デボンダーの売上が300億円に達したが、FY2026とFY2027の見通しは？ 

A11 :  FY2025のボンダーの売上はFY2023比で約3倍になった。HBM*2向けのテンポラリーボンダー/デボンダーだけではなく、ロジックのBackside PDN*3や3D NAND向けボンダーの評価を進めており、今後も大きな成長が期待できる。

Q12 :  CY2024の絶縁膜エッチングのシェアは60%に達し、大きく増加したが、CY2026のシェアはどの程度と見ているか？ 

A12 : エッチングはとてもエキサイティングな状況。先端分野において成長機会が非常に大きい。特にDRAMのキャパシタエッチングは圧倒的なポジションにある。他、NANDの極低温エッチングとスリット工程、アドバンスドパッケージングの配線工程においてエッチングビジネスはこれから数年でさらに成長していく。 
極低温エッチングを採用する400層レベルの3D NANDの本格量産はCY2026から始まり、売上に貢献する。顧客1社で量産POR*4、他2社は評価が進んでいる。当社は極低温エッチング技術に加え、RFの正弦波を矩形波に補正しイオンの入射角の垂直性を高めるなど、競合にはない技術を導入し差別化を図っている。 

*1 WFE (Wafer Fab Equipment)：半導体前工程製造装置。半導体製造工程には、ウェーハ状態で回路形成・検査をする前工程と、そのウェーハをチップごとに切断し、組み立て・検査をする後工程がある。半導体前工程製造装置は、この前工程で使用される製造装置。また半導体前工程製造装置は、ウェーハレベルパッケージング用の装置を含む 

*2 HBM (High Bandwidth Memory)：高帯域幅メモリ 

*3 Backside PDN (Power Delivery Network)：電源供給配線をウェーハの裏面に配置する構造 

*4 POR (Process of Record)：顧客の半導体製造プロセスにおける装置採用の認定