SiC 주간 요약 :
▸ STMicroelectronics, 이탈리아에 8인치 완전 통합형 실리콘 카바이드 공장 건설
▸ 아이큐랩, 국내 최초 8인치 SiC 전력반도체 공장 준공
▸ 지리자동차, ST마이크로일렉트로닉스와 장기 SiC 공급 계약 체결
▸ Hantian Tiancheng의 상하이 증권 거래소 IPO "종료"
▸ 신에너지 상용차용 2세대 Si/SiC 기반 모듈 원격 및 성공적으로 개발
▸ NXP, ZF와 협력하여 SiC 기반 트랙션 인버터 개발
▸ Yita Semiconductor는 수천만 건의 Pre-A 라운드 자금 조달을 받았습니다.
<상세>
STMicroelectronics는 이탈리아에 있을 것입니다.
8인치 완전 통합형 탄화규소 공장 건설
ST마이크로일렉트로닉스는 오늘 이탈리아 카타니아에 8인치 실리콘 카바이드(SiC) 전력 장치 및 모듈을 제조, 패키징 및 테스트할 대규모 제조 시설을 건설할 것이라고 발표했습니다. 특히, ST는 실리콘 카바이드 웨이퍼 기판 개발, 에피택셜 성장 공정, 8인치 웨이퍼 제조 및 모듈 패키징, 공정 개발, 제품 설계, 첨단 다이, 전력 시스템, 모듈 R&D 연구소, 패키징 및 테스트를 포함한 제조 공정의 모든 단계를 통합하는 SiC 산업 단지를 건설할 것입니다.
이 프로젝트는 2026년 가동을 목표로 하는 유럽 최초의 8인치 탄화규소 통합 제조 기지의 원스톱 양산이 될 것이며, 2033년까지 최대 생산 능력에 도달하고 완전 완공 후 주당 15,000개의 웨이퍼 생산량에 도달할 것으로 예상됩니다. 이 프로젝트의 총 투자액은 약 50억 유로로 예상되며, 이탈리아 정부는 EU 반도체법(EU Chips Act)의 프레임워크에 따라 약 20억 유로의 재정 지원을 제공할 예정입니다.
한국 기업 EYEQ Lab 설립
국내 최초 8인치 SiC 전력반도체 공장
최근 한국 언론 보도에 따르면 한국의 국내 반도체 제조업체인 아이큐랩은 부산전력반도체부품소재특구에 국내 최초의 8인치 탄화규소 전력반도체 공장을 건설하기 시작했으며, 5일 오전 기공식이 열렸다.
이 프로젝트는 1,000억 원(약 5억 3,000만 위안)을 투자하여 연간 144,000개의 생산 능력을 갖춘 8인치 SiC 전력 반도체 웨이퍼 공장을 건설할 계획이며 생산 시기는 2025년 9월로 예상된다고 합니다. 2018년 5월 전력 반도체 팹리스 기업으로 설립된 아이큐랩은 향후 프로젝트 완료를 통해 IDM 기업으로 탈바꿈할 예정이다.
지리자동차와 ST마이크로일렉트로닉스
SiC 장기 공급 계약 체결
6월 4일, 지리자동차와 ST마이크로일렉트로닉스는 기존 협력을 기반으로 실리콘 카바이드 소자 협력을 더욱 가속화하기 위한 장기 SiC 공급 계약을 체결했다. 계약 조건에 따라 ST는 Geely의 중급 및 고급 BEV의 여러 브랜드에 SiC 전력 장치를 공급할 것입니다. Geely Automobile의 전기 인버터는 STMicroelectronics의 3세대 SiC MOSFET과 함께 선택되었습니다.
또한 지리자동차와 ST마이크로일렉트로닉스는 자동차 전장/전기(E/E) 아키텍처, 첨단 운전자 지원(ADAS) 및 신에너지 차량 분야의 혁신적인 솔루션을 교환하고 탐색하기 위해 혁신 공동 연구소를 설립할 예정이다.
Hantian Tiancheng의 상하이 증권 거래소 IPO "종료"
6월 6일, 상하이증권거래소에 따르면, 상하이증권거래소는 상하이증권거래소 주식발행 및 상장심사 규칙 제63조 관련 조항에 따라 한톈톈전자기술(샤먼)유한공사(이하 '한톈톈청')와 그 스폰서의 발행 및 상장 신청 철회로 인해 증권거래소의 발행 및 상장심사를 종료했다.
이전에 발표된 투자설명서에 따르면 Hantian Tiancheng은 3인치, 4인치 및 6인치 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 대량 공급을 실현한 최초의 국내 제조업체이며 자동차 품질 인증(IATF 16949)을 획득한 몇 안 되는 국내 실리콘 카바이드 에피택셜 제조업체 중 하나이기도 합니다. 현재 Hantian Tiancheng의 제품은 주로 전도성 균질 에피택셜 웨이퍼이며 주요 제품은 6인치 및 4인치 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼이고 6인치 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼가 주요 제품입니다. 또한 Hantian Tiancheng은 국내 8인치 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 기술의 돌파구를 마련했으며 고객으로부터 정식 주문을 받았습니다.
신에너지 상용차 원격 개발 성공
Si/SiC 기반 제2세대 모듈
최근에는 신에너지 상용차용 Si/SiC 기반 2세대 모듈인 H1C가 성공적으로 개발되었습니다. 이 모듈은 신에너지 상용차의 요구 사항을 심층적으로 통합하고 더 높은 강도와 더 복잡한 작업 조건을 가진 상용차의 사용 시나리오에 적응하여 개발된 호환 가능한 솔루션입니다. 이 모듈은 Yuanyuan의 자회사인 Zhixin Technology와 Geely Technology의 자회사인 Jingneng이 공동으로 제작했다는 점을 언급할 가치가 있습니다.
다이 소결 기술, 새로운 고온 내성 플라스틱 하우징 및 초음파 납땜 핀과 같은 고급 공정을 통해 더 높은 온도 등급이 충족되어 더 높은 성능과 더 긴 서비스 수명을 제공합니다. 동시에 H1C는 향후 Yuanyuan과 Jingneng이 공동으로 개발한 1200V 자체 개발 칩을 장착하여 핵심 기술의 완전한 독립을 실현할 것입니다. 이전 세대의 인버터 제품에 비해 전체 중량 감소는 약 5%로 전체 공간 활용률이 크게 향상되고 상당한 비용 이점이 있습니다. 이 모듈은 올해 9월에 설치 및 테스트될 예정이며 2025년 초에 새로운 장거리 모델에 일괄 설치될 예정입니다.
NXP와 ZF는 개발 개발을 위해 협력했습니다.
SiC 기반 트랙션 인버터
NXP Semiconductors 및 ZF Richshafenshafen Stephen Richshafenshafen Stephen Stephen Richshafenshafen Richshafenshafen Stephenshafenshafen Fenfengfu Fenfensha NXP의 GD316x 고전압(HV) 분리형 게이트 구동기를 활용하는 이 솔루션은 800V 플랫폼 및 SiC 전력 장치의 채택을 가속화하도록 설계되었습니다.
NXP의 GD316x 제품군이 포함된 ZF 트랙션 인버터는 이미 사용 중입니다. NXP의 GD316x 제품은 Hitachi Energy의 RoadPak 자동차 SiC 전력 모듈에도 탑재됩니다. RoadPak 하프 브리지 전력 모듈은 전기 버스 및 전기 승용차에서 1200V SiC MOSFET, 통합 냉각 핀 및 낮은 인덕턴스 연결을 갖춘 고성능 Formula-E 경주용 자동차에 이르기까지 광범위한 응용 분야를 지원할 수 있을 만큼 충분히 작다고 합니다.
One Tower Semiconductor는 수천만 건의 Pre-A 자금 조달을 받았습니다.
최근 Yita Semiconductor (Anhui) Co., Ltd.(이하 "Yita Semiconductor"라고 함)는 수천만 개의 Pre-A 라운드 자금 조달을 완료했으며 투자자는 Hefei Haiheng Science and Technology Innovation Investment Fund 및 관련 산업 투자자이며 이 자금 조달 라운드는 주로 MOCVD 에피택시 시스템 및 RTP 급속 열처리 시스템 장비의 연구 개발, 제조 및 판매에 사용됩니다.
ETA-Semitech는 허페이 경제 기술 개발구와 Deqing Zhejiang University of Technology Science and Technology Park (Yaoguang Semiconductor (Zhejiang) Co., Ltd.)에 위치한 두 개의 생산 및 연구 기지를 보유하고 있습니다. 그 중 허페이 경제 기술 개발구는 시운전을 앞두고 있으며 프로젝트 1 단계에서 총 투자 금액은 3 억 5 천만 위안, 건설 면적은 4,000 평방 미터이며 주로 MOCVD 에피 택시 시스템 및 RTP 급속 열처리 시스템의 연구 개발 및 생산에 사용됩니다. 새로운 기지가 완전히 가동되면 연간 생산 능력은 80대에 달할 것으로 예상되며 연평균 생산량은 1억 위안입니다.
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